深圳市安瑞尔科技有限公司

echnology

MOSFET (Metal Oxide)

                       Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

                       Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

4A (Ta)

                       Drive Voltage (Max Rds On,  Min Rds On)

4.5V, 10V

                       Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

                       Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.1nC @ 5V

                       Vgs (Max)

±25V

                       Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 15V

                       FET Feature

-

                       Power Dissipation (Max)

1.6W (Ta)

                       Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 4A, 10V

                       Operating Temperature

-55°C ~ 150°C (TJ)

                       Mounting Type

Surface Mount

                       Supplier Device Package

SuperSOT™-6

                       Package / Case

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6