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产品信息
制造商:EUPEC 产品种类:IGBT 模块产品:IGBT Silicon Modules配置:Half Bridge Module集电极—发射极电压 VCEO:1700 V集电极—射极饱和电压:3.4 V在25 C的连续集电极电流:72 A栅极—射极漏泄电流:320 nA功率耗散:500 W工作温度:+ 150 C封装 / 箱体:Half Bridge1栅极/发射极电压:20 V安装风格:Screw
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